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影响高功率光导开关临界频率热因素的数值分析

赵越 谢卫平 李洪涛 刘金锋 刘宏伟 赵士操 袁建强

强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(11):2778-2782,5.
强激光与粒子束2010,Vol.22Issue(11):2778-2782,5.DOI:10.3788/HPLPB20102211.2778

影响高功率光导开关临界频率热因素的数值分析

Numerical simulation on factors affecting critical frequency of high-power photoconductive semiconductor switch

赵越 1谢卫平 1李洪涛 1刘金锋 1刘宏伟 1赵士操 2袁建强1

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
  • 2. 中国工程物理研究院,计算机应用研究所,四川,绵阳,621900
  • 折叠

摘要

关键词

光导开关/砷化镓/非线性模式/电流丝/临界频率/热传导

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵越,谢卫平,李洪涛,刘金锋,刘宏伟,赵士操,袁建强..影响高功率光导开关临界频率热因素的数值分析[J].强激光与粒子束,2010,22(11):2778-2782,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(50837004) (50837004)

中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2008B0402037,2009B0402040) (2008B0402037,2009B0402040)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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