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恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

张国宾 申开盛 王朝林 易忠 孟立飞 刘肃

电子器件2010，Vol.33Issue(5)：553-556,4.
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电子器件2010，Vol.33Issue(5)：553-556,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.007

恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析

Influences of Magnetic Field on I-V Characteristics of Diodes Based on Silicon and Germanium

张国宾 1申开盛 1王朝林 1易忠 2孟立飞 2刘肃1

作者信息

  • 1. 兰州大学微电子研究所,兰州,730000
  • 2. 中国空间技术研究所,北京,100094
  • 折叠

摘要

关键词

磁场/二极管/反向饱和电流/I-V特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张国宾,申开盛,王朝林,易忠,孟立飞,刘肃..恒磁场对Si、Ge基二极管I-V特性的影响及机理分析[J].电子器件,2010,33(5):553-556,4.

基金项目

总装备部国家重点课题支持 （）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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