发光学报2010，Vol.31Issue(4)：531-537,7.
Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化
Investigation of Strain of GaN Light-emitting Diode Films Transferred to Metal Substrate from Si (111)
摘要
关键词
金属基板/Si衬底/GaN/薄膜/应力分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
熊贻婧,张萌,熊传兵,肖宗湖,王光绪,汪延明,江风益..Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化[J].发光学报,2010,31(4):531-537,7.基金项目
教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730)资助项目 （IRT0730）
