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氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

马仙梅 荆海 王永刚 王龙彦 王中健 马凯

液晶与显示2009,Vol.24Issue(6):836-839,4.
液晶与显示2009,Vol.24Issue(6):836-839,4.

氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

Dependence of Argon Gas Pressure on Properties of Ga Doped ZnO Films Deposited by RF Sputtering

马仙梅 1荆海 2王永刚 3王龙彦 1王中健 3马凯1

作者信息

  • 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033
  • 2. 中国科学院,研究生院,北京,100039
  • 3. 北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031
  • 折叠

摘要

关键词

GZO/磁控溅射/氩气压强

Key words

GZO/magnetron sputtering/argon gas pressure

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马仙梅,荆海,王永刚,王龙彦,王中健,马凯..氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响[J].液晶与显示,2009,24(6):836-839,4.

基金项目

国家自然科学基金(No.60576054,No.60576043,No.60576056) (No.60576054,No.60576043,No.60576056)

教育部新世纪优秀人才支持计划(No.05-0326) (No.05-0326)

长春市科技局产业化项目(No.2006303) (No.2006303)

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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