In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析OA北大核心CSCDCSTPCD
Characterization and Analysis on the Optical Properties of In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N Multiple Quantum Well Structures
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息.变温PL光谱的结果表明:在温度从30 K变化到300 K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移.通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性.PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小…查看全部>>
郭洪英;潘定珍;范俊卿;马旭;戴振宏;孙元平
烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005
数理科学
InGaN光致发光激发光谱
InGaNphotoluminescenceexcitation spectrum
《发光学报》 2009 (6)
797-801,5
山东省中青年科学家奖励基金(2006BS01240)山东省自然科学杰出青年基金(2008JQB01028)资助项目
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