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SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善

康朝阳 赵朝阳 刘峥嵘 孙柏 唐军 徐彭寿 谢家纯

发光学报2009，Vol.30Issue(6)：807-811,5.
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发光学报2009，Vol.30Issue(6)：807-811,5.

SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善

Improvement of the Structure and Photoelectrical Properties of ZnO Films Based on SiC Buffer Layer Grown on Si(111)

康朝阳 1赵朝阳 1刘峥嵘 2孙柏 3唐军 1徐彭寿 1谢家纯2

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029
  • 2. 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026
  • 3. 中国科学院,合肥智能机械研究所,安徽,合肥,230031
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO薄膜/Si(111)衬底/SiC缓冲层/光电性能

Key words

ZnO films/Si(111) substrate/SiC buffer/photoelectrical property

分类

数理科学

引用本文复制引用

康朝阳,赵朝阳,刘峥嵘,孙柏,唐军,徐彭寿,谢家纯..SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善[J].发光学报,2009,30(6):807-811,5.

基金项目

国家自然科学基金(50532070)资助项目 （50532070）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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