发光学报2009，Vol.30Issue(6)：824-831,8.
结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计
Effect of Structure Parameters on the Performances of GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors and Device Design
摘要
关键词
GaN/紫外探测器/器件设计Key words
GaN/ultraviolet photodetector/structure design分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
周梅,赵德刚..结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计[J].发光学报,2009,30(6):824-831,8.基金项目
国家自然科学基金(60776047)资助项目 （60776047）
