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应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si空穴有效质量模型

宋建军张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英

物理学报2010，Vol.59Issue(1)：579-582,4.

应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si空穴有效质量模型

Model of hole effective mass of strained Si_(1-x)Ge_x/(111)Si

宋建军 ¹张鹤鸣 ¹胡辉勇 ¹宣荣喜 ¹戴显英¹

作者信息

1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

应变Si_(1-x)Ge_x/空穴有效质量/价带

Key words

strained Si_(1-x)Ge_x/hole effective mass/valence band

引用本文复制引用

宋建军,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,戴显英..应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si空穴有效质量模型[J].物理学报,2010,59(1):579-582,4.

基金项目

国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.Project supported by the National Ministries and Commissions (Grant Nos. 51308040203, 9140A08060407DZOI03, 6139801). （批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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