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具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

杨银堂耿振海段宝兴贾护军余涔任丽丽

物理学报2010，Vol.59Issue(1)：566-570,5.

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure

杨银堂 ¹耿振海 ¹段宝兴 ¹贾护军 ¹余涔 ¹任丽丽¹

作者信息

1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

SiC肖特基二极管/superjunction/导通电阻/击穿电压

Key words

SiC SBD/super junction/specific on-resistance/breakdown voltage

引用本文复制引用

杨银堂,耿振海,段宝兴,贾护军,余涔,任丽丽..具有部分超结的新型SiC SBD特性分析[J].物理学报,2010,59(1):566-570,5.

基金项目

国家部委预研项目(批准号:51308030201,9140A08050509DZ0106)资助的课题.Project supported by the National Pre-Research Foundation(Grant Nos. 5130803020t, 9140A085050509DZ0106). （批准号:51308030201,9140A08050509DZ0106）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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