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硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响

张娜 李木森 张元培 田斌

人工晶体学报2010,Vol.39Issue(2):295-298,303,5.
人工晶体学报2010,Vol.39Issue(2):295-298,303,5.

硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响

Influence of Boron Concentration on Electrical Properties of Boron-doped Diamond Single Crystals

张娜 1李木森 2张元培 1田斌2

作者信息

  • 1. 山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室,济南,250061
  • 2. 山东省超硬材料工程技术研究中心,邹城,273500
  • 折叠

摘要

关键词

含硼金刚石/碳化硼/高温高压合成/电阻

分类

化学化工

引用本文复制引用

张娜,李木森,张元培,田斌..硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响[J].人工晶体学报,2010,39(2):295-298,303,5.

基金项目

国家自然科学基金(No.50772060) (No.50772060)

山东省自然科学基金(Y2007F12) (Y2007F12)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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