| 注册
首页|期刊导航|人工晶体学报|SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

文黎巍 周俊敏 苗挂帅 贾瑜 杨仕娥

人工晶体学报2010,Vol.39Issue(2):516-519,4.
人工晶体学报2010,Vol.39Issue(2):516-519,4.

SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

First-principles Study on the Adsorption of SiH4 on Si(001)-(2×1) Surface

文黎巍 1周俊敏 1苗挂帅 1贾瑜 2杨仕娥2

作者信息

  • 1. 周口师范学院物理与电子工程系,周口,466000
  • 2. 郑州大学物理工程学院,郑州,450052
  • 折叠

摘要

关键词

第一性原理/吸附能/结构参数/反应机制

分类

数理科学

引用本文复制引用

文黎巍,周俊敏,苗挂帅,贾瑜,杨仕娥..SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2010,39(2):516-519,4.

基金项目

周口师范学院大学生科研创新基金(zknudxs023) (zknudxs023)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文