物理学报2010，Vol.59Issue(10)：7410-7416,7.
退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响
Influence of annealing on the microstructure and electrochemical properties of B-doped nanocrystalline diamond films
摘要
关键词
B掺杂纳米金刚石薄膜/微结构/电化学性能引用本文复制引用
潘金平,胡晓君,陆利平,印迟..退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响[J].物理学报,2010,59(10):7410-7416,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50602039,50972129)和浙江省"钱江人才"计划(批准号:2010R10026)资助的课题. （批准号:50602039,50972129）
