人工晶体学报2010，Vol.39Issue(6)：1406-1411,6.
固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析
Thermodynamic Analysis of InGaP/GaAs Heterostructures Grown by Solid-source Molecular Beam Epitaxy
摘要
关键词
热力学/固态源分子束外延/InGaP/GaAs/异质结构Key words
thermodynamic/solid-source MBE/InGaP/GaAs/heterostructures分类
数理科学引用本文复制引用
曹雪,舒永春,叶志成,皮彪,姚江宏,邢晓东,许京军..固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析[J].人工晶体学报,2010,39(6):1406-1411,6.基金项目
National High Technology Research and Development Program of China(2006AA 03Z413) （2006AA 03Z413）
Natural Science Foundation of Tianjin, China(08JCYBJC14800) （08JCYBJC14800）
