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多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

竹敏 宋航 蒋红 缪国庆 黎大兵 李志明 孙晓娟 陈一仁

发光学报2010，Vol.31Issue(6)：859-863,5.
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发光学报2010，Vol.31Issue(6)：859-863,5.

多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

Quantum Dots Accumulation Phenomenon in The Growth of Multilayer GaSb(QDs)/GaAs and Their Luminescence Property

竹敏 1宋航 2蒋红 1缪国庆 1黎大兵 1李志明 1孙晓娟 1陈一仁1

作者信息

  • 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033
  • 2. 中国科学院研究生院,北京100039
  • 折叠

摘要

关键词

LP-MOCVD/GaSb量子点/PL谱/关联效应

分类

物理学

引用本文复制引用

竹敏,宋航,蒋红,缪国庆,黎大兵,李志明,孙晓娟,陈一仁..多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性[J].发光学报,2010,31(6):859-863,5.

基金项目

中科院知识创新工程资助项目 （）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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