| 注册
首页|期刊导航|现代电子技术|电路系统中的闩锁效应及其预防设计

电路系统中的闩锁效应及其预防设计

吴允平 苏伟达 李汪彪 蔡声镇

现代电子技术2011,Vol.34Issue(1):170-172,3.
现代电子技术2011,Vol.34Issue(1):170-172,3.

电路系统中的闩锁效应及其预防设计

Latch-up Effect and Its Prevention in Circuit Systems Based on CMOS

吴允平 1苏伟达 1李汪彪 1蔡声镇2

作者信息

  • 1. 福建师范大学电子信息工程系,福建福州,350007
  • 2. 福建师范大学软件学院,福建福州,350007
  • 折叠

摘要

Abstract

The latch-up effect which is easy to appear in CMOS IC and the widely used circuit systems with an attributive defect leading to failure of circuits is elaborated.Key factors causing latch-up effect are discussed.Furthermore, the special interface method of critical power-on time-sequence, circuit isolatation design based on photo-electric coupler and hot-plugging modules is proposed.It testified in applications that the designs are helpful to reduce the risk of latch-up effect.

关键词

闩锁效应/上电时序/光耦/热插拔

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴允平,苏伟达,李汪彪,蔡声镇..电路系统中的闩锁效应及其预防设计[J].现代电子技术,2011,34(1):170-172,3.

基金项目

福建省自然科学基金项目(2010J01326) (2010J01326)

福建省科技厅项目(2008 H0022,2009 H0018) (2008 H0022,2009 H0018)

校教师项目(2008100214) (2008100214)

现代电子技术

1004-373X

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文