发光学报2010，Vol.31Issue(6)：864-869,6.
不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱
Temperature-dependent PL of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Variable Content of In
摘要
关键词
In团簇/InGaN/变温PL/激活能分类
数理科学引用本文复制引用
邢兵,曹文彧,杜为民..不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱[J].发光学报,2010,31(6):864-869,6.基金项目
国家自然科学基金(60776042) （60776042）
国家重大科学研究计划(2009CB30504)资助项目 （2009CB30504）
