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应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究

刘如彬 王帅 孙强 孙彦铮

电源技术2010,Vol.34Issue(10):1041-1043,3.
电源技术2010,Vol.34Issue(10):1041-1043,3.

应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究

Growth study of InGaAs graded buffers for solar cells

刘如彬 1王帅 2孙强 1孙彦铮2

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司,第十八研究所,天津,300381
  • 2. 天津蓝天太阳科技有限公司,天津,300381
  • 折叠

摘要

关键词

晶格失配/太阳电池/渐变缓冲层/TEM/RSM

分类

动力与电气工程

引用本文复制引用

刘如彬,王帅,孙强,孙彦铮..应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究[J].电源技术,2010,34(10):1041-1043,3.

电源技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-087X

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