物理学报2010，Vol.59Issue(11)：7679-7685,7.
外腔半导体激光器随机数熵源的腔长分析
Randomness analysis of external cavity semiconductor laser as entropy source
摘要
关键词
混沌/真随机数发生器/半导体激光器/外腔长引用本文复制引用
张继兵,张建忠,杨毅彪,梁君生,王云才..外腔半导体激光器随机数熵源的腔长分析[J].物理学报,2010,59(11):7679-7685,7.基金项目
国家自然科学基金专项基金(批准号:60927007),量子光学与光量子器件国家重点实验室开放课题(批准号:200903)资助的课题. （批准号:60927007）
