物理学报2010，Vol.59Issue(11)：7803-7807,5.
反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响
Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces
摘要
关键词
低速高电荷态离子/电子发射/反冲原子/阻止能损引用本文复制引用
王建国,徐忠锋,赵永涛,王瑜玉,李德慧,赵迪,肖国青..反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响[J].物理学报,2010,59(11):7803-7807,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号11075125,10805063)资助的课题. （批准号11075125,10805063）
