物理学报2010，Vol.59Issue(11)：8071-8077,7.
镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究
First-principles study of electronic and optical properties of Ni-doped silicon nanowires
摘要
关键词
硅纳米线/掺杂/电子结构/光学性质引用本文复制引用
梁伟华,丁学成,褚立志,邓泽超,郭建新,吴转花,王英龙..镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].物理学报,2010,59(11):8071-8077,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:10774036),河北省自然科学基金(批准号:E2008000631),河北省光电材料重点实验室和河北大学自然科学基金资助的课题. （批准号:10774036）
