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CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为

李思维张立同刘永胜成来飞冯祖德栾新刚张伟华杨文彬

无机材料学报2010，Vol.25Issue(11)：1199-1203,5.

无机材料学报2010，Vol.25Issue(11)：1199-1203,5.DOI:10.3724/SP.J.1077.2010.01199

Self-healing Behavior of 2D C/SiC Modified by Partial Boron Carbide Matrix after Annealing at Low Temperature in Wet Oxygen

李思维 ¹张立同 ¹刘永胜 ¹成来飞 ¹冯祖德 ²栾新刚 ¹张伟华 ¹杨文彬¹

作者信息

C/SiC复含材料/基体改性/CVI B-C涂层/自愈合/SEM/TEM

李思维,张立同,刘永胜,成来飞,冯祖德,栾新刚,张伟华,杨文彬..CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为[J].无机材料学报,2010,25(11):1199-1203,5.

国家自然科学基金(90405015,50672076,50425208) （90405015,50672076,50425208）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-324X

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