航天器环境工程2009，Vol.26Issue(6)：506-509,4.DOI:10.3969/j.issn.1673-1379.2009.06.002
静态存储器单粒子翻转率预示的在轨验证
Verification of predicted single event upset rate for commercial static random access memory (SRAM)
张庆祥 1杨兆铭 2侯明东3
作者信息
- 1. 中国空间技术研究院,研究发展部,北京,100094
- 2. 兰州物理研究所,兰州,730000
- 3. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
- 折叠
摘要
关键词
静态存储器/单粒子翻转/多位翻转/FOM方法/在轨监测分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张庆祥,杨兆铭,侯明东..静态存储器单粒子翻转率预示的在轨验证[J].航天器环境工程,2009,26(6):506-509,4.
