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透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

杨智 邹继军 常本康

物理学报2010,Vol.59Issue(6):4290-4295,6.
物理学报2010,Vol.59Issue(6):4290-4295,6.

透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究

Research on the optimal thickness of transmission-mode exponential-doping GaAs photocathode

杨智 1邹继军 1常本康1

作者信息

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs光电阴极/透射式/指数掺杂/厚度

引用本文复制引用

杨智,邹继军,常本康..透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究[J].物理学报,2010,59(6):4290-4295,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60678043,60801036)资助的课题. (批准号:60678043,60801036)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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