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In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究

刘小村 季燕菊 赵俊卿 刘立强 孙兆鹏 董和磊

物理学报2010,Vol.59Issue(7):4925-4929,5.
物理学报2010,Vol.59Issue(7):4925-4929,5.

In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究

First-principles study on electronic structure of In-doped wurtzite ZnO

刘小村 1季燕菊 1赵俊卿 1刘立强 2孙兆鹏 3董和磊4

作者信息

  • 1. 山东建筑大学理学院,济南250101
  • 2. 山东建筑大学材料科学与工程学院,济南250101
  • 3. 山东大学物理学院,济南250100
  • 4. 山东师范大学物理与电子科学学院,济南250014
  • 折叠

摘要

关键词

密度泛函理论/电子结构/In掺杂ZnO

引用本文复制引用

刘小村,季燕菊,赵俊卿,刘立强,孙兆鹏,董和磊..In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究[J].物理学报,2010,59(7):4925-4929,5.

基金项目

山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(批准号:2006BSB01447)资助的课题. (批准号:2006BSB01447)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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