物理学报2010，Vol.59Issue(7)：5028-5034,7.
用顶部籽晶熔渗生长工艺由新成分液相源制备单畴GdBCO超导块材
Fabrication of single-domain GdBCO bulk superconductors using new liquid sources by the top seeded infiltration and growth technique
摘要
关键词
熔渗生长/液相源/GdBCO引用本文复制引用
李国政,杨万民..用顶部籽晶熔渗生长工艺由新成分液相源制备单畴GdBCO超导块材[J].物理学报,2010,59(7):5028-5034,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50872079)、国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z241)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2010ZYGX021 )资助的课题. （批准号:50872079）
