四川大学学报（自然科学版）2009，Vol.46Issue(4)：1043-1046,4.
退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响
A study of annealing effect on the photoluminescence of the low-dimensional structures on the SiGe alloy
摘要
关键词
硅锗合金/低维结构/光致荧光光谱/界面态分类
数理科学引用本文复制引用
吴克跃,宋军,吴兴举..退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响[J].四川大学学报（自然科学版）,2009,46(4):1043-1046,4.基金项目
安徽省教育厅自然科学基金(KJ2008B269) （KJ2008B269）
皖西学院青年自然科学基金(WXZQ0706) （WXZQ0706）
