物理学报2010，Vol.59Issue(2)：1233-1236,4.
p型GaN低温粗化提高发光二极管特性
Improved properties of light emitting diode by rough p-GaN grown at lower temperature
摘要
关键词
氮化镓/金属有机物化学气相沉积/原子力显微镜/X射线双晶衍射Key words
GaN/metal-organic chemical vapor deposition/atomic force microscopy/double crystal X-ray diffraction引用本文复制引用
邢艳辉,韩军,邓军,李建军,徐晨,沈光地..p型GaN低温粗化提高发光二极管特性[J].物理学报,2010,59(2):1233-1236,4.基金项目
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402)、北京市自然科学基金(批准号:4092007,4102003)、北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002)和北京工业大学博士科研启动基金(批准号:X0002013200901)资助的课题. （批准号:2008AA03Z402）
