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激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

薛正群 黄生荣 张保平 陈朝

物理学报2010，Vol.59Issue(2)：1268-1274,7.
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物理学报2010，Vol.59Issue(2)：1268-1274,7.

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

Analyses of laser-induced p-type doping of GaN in the improvement of light-emitting diodes

薛正群 1黄生荣 2张保平 1陈朝3

作者信息

  • 1. 厦门大学物理系,厦门,361005
  • 2. 厦门三安电子有限公司,厦门,361005
  • 3. 福建省半导体照明中心,厦门,361005
  • 折叠

摘要

关键词

激光诱导掺杂/GaN/老化/发光二极管

Key words

laser-induced doping/GaN/degradation/light-emitting diodes

引用本文复制引用

薛正群,黄生荣,张保平,陈朝..激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析[J].物理学报,2010,59(2):1268-1274,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60476022)和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311020)资助的课题. （批准号:60476022）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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