物理学报2010，Vol.59Issue(2)：1190-1195,6.
沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响
Effect of deposition rate on the scaling behavior of microcrystalline silicon films prepared by very high frequency-plasma enhanced chemical vapor deposition
摘要
关键词
微晶硅薄膜/椭偏光谱法/生长指数/表面粗糙度Key words
microcrystalline silicon/spectroscopic ellipsometry/growth exponent/surface roughness引用本文复制引用
丁艳丽,朱志立,谷锦华,史新伟,杨仕娥,郜小勇,陈永生,卢景霄..沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响[J].物理学报,2010,59(2):1190-1195,6.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)和河南省自然科学基金(批准号:82300443203)资助的课题. （批准号:2006CB202601）
