物理学报2010,Vol.59Issue(12):8420-8425,6.
SETMOS在蔡氏电路中的特性研究
Characteristic of hybrid single electron transistor and metal oxide semiconductor structure in Chua's circuit
摘要
关键词
单电子晶体管/负微分电阻/拟合/多涡卷引用本文复制引用
冯朝文,蔡理,张立森,杨晓阔,赵晓辉..SETMOS在蔡氏电路中的特性研究[J].物理学报,2010,59(12):8420-8425,6.基金项目
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AAJ225)资助的课题. (批准号:2008AAJ225)