物理学报2010,Vol.59Issue(12):8770-8775,6.
变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究
Mechanism of large grain polycrystalline Si preparation by aluminum induced crystallization with temperature gradient profile
摘要
关键词
薄膜/多晶硅/铝诱导晶化/变温退火引用本文复制引用
唐正霞,沈鸿烈,江丰,方茹,鲁林峰,黄海宾,蔡红..变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究[J].物理学报,2010,59(12):8770-8775,6.基金项目
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z219)和南京航空航天大学博士学位论文创新与创优基金(批准号:BCXJ08-10)资助的课题. (批准号:2006AA03Z219)