| 注册
首页|期刊导航|物理学报|AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

李维峰 梁迎新 金勇 魏建华

物理学报2010,Vol.59Issue(12):8850-8855,6.
物理学报2010,Vol.59Issue(12):8850-8855,6.

AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

Bipolaron mechanism of DX center in AlxCa1-xAs:Si

李维峰 1梁迎新 2金勇 2魏建华1

作者信息

  • 1. 中国人民大学物理系,北京,100872
  • 2. 法国国家科学研究中心光子学与纳米结构实验室,马库锡,91460
  • 折叠

摘要

关键词

DX中心/双极化子/冻结

引用本文复制引用

李维峰,梁迎新,金勇,魏建华..AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析[J].物理学报,2010,59(12):8850-8855,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10604037)资助的课题. (批准号:10604037)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文