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基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试

宗爱芹

现代电子技术2010,Vol.33Issue(10):149-151,3.
现代电子技术2010,Vol.33Issue(10):149-151,3.

基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试

Volt-ampere Characteristic Testing of Unijunction Transistor Based on NI Multisim10 and LabVIEW

宗爱芹1

作者信息

  • 1. 上海海事大学,高等技术学院,上海,200136
  • 折叠

摘要

关键词

单结晶体管/伏安特性/Multisim 10/虚拟仪器/LabVIEW

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

宗爱芹..基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试[J].现代电子技术,2010,33(10):149-151,3.

现代电子技术

1004-373X

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