液晶与显示2010，Vol.25Issue(6)：792-797,6.
反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
Effects of Pressure on Field Emission Characteristics of AIN Thin Films Prepared by RF Reactive Magnetron Sputtering
摘要
关键词
氮化铝薄膜/场发射/工作气压/缺陷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李松玲,王如志,赵维,王波,严辉..反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响[J].液晶与显示,2010,25(6):792-797,6.基金项目
国家自然科学基金项目(No.11074107) （No.11074107）
北京市学术创新团队建设计划(No.PHR201007101) （No.PHR201007101）
北京市科技新星计划(No.2008B10) （No.2008B10）
北京市自然科学基金(No.1102006) （No.1102006）
教育部留学回国人员科研启动基金 （）
