原子能科学技术2010，Vol.44Issue(11)：1385-1389,5.
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
Total Dose Irradiation and Annealing Effects of Domestic Partially-Depleted SOI PMOSFET
崔江维 1余学峰 2刘刚 3李茂顺 1高博 2兰博 4赵云 1费武雄 2陈睿3
作者信息
- 1. 中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
- 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011
- 3. 中国科学院,研究生院,北京,100049
- 4. 中国科学院,微电子研究所,北京,100029
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摘要
关键词
总剂量辐照效应/退火/亚阈曲线分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,高博,兰博,赵云,费武雄,陈睿..国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究[J].原子能科学技术,2010,44(11):1385-1389,5.
