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C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

朱兴华 张海波 杨定宇 王治国 祖小涛

物理学报2010,Vol.59Issue(11):7961-7965,5.
物理学报2010,Vol.59Issue(11):7961-7965,5.

C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

First principles study of electronic properties of carbon/silicon carbide nanotube heterojunction

朱兴华 1张海波 2杨定宇 1王治国 1祖小涛2

作者信息

  • 1. 成都信息工程学院光电技术学院,成都610225
  • 2. 电子科技大学物理电子学院,成都610054
  • 折叠

摘要

关键词

C/SiC纳米管异质结/第一性原理/电子结构

引用本文复制引用

朱兴华,张海波,杨定宇,王治国,祖小涛..C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究[J].物理学报,2010,59(11):7961-7965,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10704014,50902012)和四川省青年基金(批准号:09ZQ026-029)资助的课题. (批准号:10704014,50902012)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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