物理学报2010，Vol.59Issue(10)：7333-7337,5.
增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究
High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
摘要
关键词
高电子迁移率晶体管/AlGaN/GaN/增强型器件引用本文复制引用
王冲,全思,马晓华,郝跃,张进城,毛维..增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究[J].物理学报,2010,59(10):7333-7337,5.基金项目
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002)、国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)、中国国防科技预研基金(批准号:51308030102)和西安电子科技大学回国人员创新基金资助的课题. （批准号:2008ZX01002-002）
