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内建电场对纳构半导体功函数的调制

安盼龙 赵瑞娟 许丽萍 杨艳

武汉工程大学学报2011,Vol.33Issue(4):50-53,4.
武汉工程大学学报2011,Vol.33Issue(4):50-53,4.DOI:10.3969/j.issn.1674-2869.2011.04.013

内建电场对纳构半导体功函数的调制

Modulation on work function of nano-semiconductor material by built-in electric field

安盼龙 1赵瑞娟 2许丽萍 3杨艳2

作者信息

  • 1. 中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051
  • 2. 中北大学理学院,山西太原030051
  • 3. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051
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摘要

Abstract

In this paper, the condition and methods of nano-semiconductor built-in electric field were analyzed in theory. The work function of semiconductors was then controlled by the modulation of built-in electric fields, and the relationship between built-in electric field and work function were carried out finally. The simulations of this work provide good support for meso-photoelectric effect and the fabrication of meso-optoelectronic devices.

关键词

内建电场/异质结/量子阱/功函数/介观光电效应

Key words

built-in electric field/ heterojunction/ quantum well/ work function/ meso-photoelectric effect

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

安盼龙,赵瑞娟,许丽萍,杨艳..内建电场对纳构半导体功函数的调制[J].武汉工程大学学报,2011,33(4):50-53,4.

基金项目

中北大学电子测试技术国家重点实验室青年基金资助(20102011) (20102011)

中北大学校青年基金资助 ()

武汉工程大学学报

1674-2869

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