华东师范大学学报（自然科学版）Issue(2)：62-69,8.DOI:10.3969/j.issn.1000-5641.2011.02.009
单层Al2O3膜在SiO2表面的第一性原理计算研究
First-principle investigation of Al2 O3 monolayer covered on SiO2
摘要
Abstract
We setuped a slab model of AI2O3/SiO2 to investigate atomic coordination and electronic structure. By first-principle calculation, we compared atomic positions of monolayer A12O3 with normal Al2O3 surface to analyze the variation of atomic positions, bond lengths and bond angles. Moreover, we discussed the electronic structure and chemical bonding of the monolayer Al2 O3.关键词
第一性原理计算/单层膜/结构/电子结构Key words
first-principle calculation/ monolayer A12O3/ structure/ electronic structure分类
数理科学引用本文复制引用
诸敏,韩景梅,谢文辉..单层Al2O3膜在SiO2表面的第一性原理计算研究[J].华东师范大学学报（自然科学版）,2011,(2):62-69,8.基金项目
国家自然科学基金(10704024) （10704024）
上海市启明星计划(08QA14026) （08QA14026）
上海市科委项目(08JC1408400) （08JC1408400）
