退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响OACSTPCD
Effect of Annealing Temperatures on Structures and Optical Properties of RF Magnetron Sputtering SiC Films
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化.结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备…查看全部>>
都智;李合琴;聂竹华;储汉奇;朱景超
合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥,230009
SiC薄膜射频磁控溅射退火温度结构光致发光
《理化检验-物理分册》 2010 (12)
753-756,4
国家"973"计划资助项目(2008CB717802)安徽省自然科学基金资助项目(090414182)安徽省高校自然科学基金资助项目(KJ2009A091)
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