一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源OA
New Current-mode Curvature-compensated CMOS Bandgap
提出了一种新型的低压带隙基准源,与传统的带隙基准不同,该电路引入了第三个电流,以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项,从而实现曲率补偿.采用0.18 μm CMOS工艺进行设计验证,HSpice仿真结果表明,室温下的输出电压为623 mV,-55～+125℃范围内的温度系数为4.2 ppm/℃,1.0～2.1 V之间的电源调整率为0.9 mV/V.
A new sub-1V curvature-compensated CMOS bandgap reference (BGR) circuit is presented. Different from the conventional bandgap reference, a third current is introduced to eliminate the temperature nonlinearity of VEB of parasitic p-n-p bipolar junction transistor in CMOS process. The proposed circuit was designed and simulated in a standard 0. 18um CMOS process. The results show that the output reference voltage at 623 mV has a temperature coefficient of 4. …查看全部>>
任若冰;王亚军;陶健;武晓伟;孙天锡
厦门大学,物理与机电工程学院,福建,厦门,361005厦门大学,物理与机电工程学院,福建,厦门,361005厦门大学,物理与机电工程学院,福建,厦门,361005厦门大学,物理与机电工程学院,福建,厦门,361005厦门大学,物理与机电工程学院,福建,厦门,361005
信息技术与安全科学
带隙基准源曲率补偿低压温度系数
《现代电子技术》 2011 (6)
163-165,3
福建省重点科技项目资助(2006H0092)
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