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InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

王晓晖 刘祥林 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度

半导体学报2000,Vol.21Issue(7):726-728,3.
半导体学报2000,Vol.21Issue(7):726-728,3.

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-Emitting Diodes

王晓晖 1刘祥林 1陆大成 1袁海荣 1韩培德 1汪度1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

单量子阱/绿光LED/MOVPE

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王晓晖,刘祥林,陆大成,袁海荣,韩培德,汪度..InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J].半导体学报,2000,21(7):726-728,3.

基金项目

国家"863"高技术计划资助项目(863-715-001-0010) (863-715-001-0010)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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