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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响

李代宗成步文黄昌俊王红杰于卓张春晖余金中王启明

半导体学报2000，Vol.21Issue(8)：760-764,5.

Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响

Influence of Buffer Structure on Relaxation of Stress in Si1-xGexby Raman Spectra

李代宗 ¹成步文 ¹黄昌俊 ¹王红杰 ¹于卓 ¹张春晖 ¹余金中 ¹王启明¹

作者信息

1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083
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摘要

关键词

超高真空化学气相淀积/SiGe/Raman散射

分类

数理科学

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李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明..Raman谱研究不同缓冲层结构对Si1-xGex 应力弛豫的影响[J].半导体学报,2000,21(8):760-764,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目,编号69746001,69896260-06和69787004[Project Supported byNational Natural Sci-ence Foundation of China Under Grant No.69746001,69896260-06 and 69787004]. （）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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