使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件,提出了元件的结构模型,并对其感湿机理进行了讨论.
作者：刘云峰;陈国平;张浩康
作者单位：东南大学电子工程系,南京,210096东南大学电子工程系,南京,210096东南大学电子工程系,南京,210096
分类：化学化工
中文关键词：Ta2O5薄膜MOS湿敏元件
刊名：《电子学报》 1998 (5)
页码/页数：83-85,3
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