电子科技大学学报2009，Vol.38Issue(5)：618-623,6.DOI:10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018
宽禁带功率半导体器件技术
Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics
张波 1邓小川 1陈万军 1李肇基1
作者信息
- 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
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摘要
关键词
氮化镓/功率器件/碳化硅/宽禁带半导体分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张波,邓小川,陈万军,李肇基..宽禁带功率半导体器件技术[J].电子科技大学学报,2009,38(5):618-623,6.
