电子器件2009，Vol.32Issue(5)：864-866,870,4.
氮化硅的反应离子刻蚀研究
Study on the Reactive Ion Etching of Si3N4
苟君 1吴志明 1太惠玲 1袁凯1
作者信息
- 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
- 折叠
摘要
关键词
反应离子刻蚀/氮化硅/刻蚀气体/优化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
苟君,吴志明,太惠玲,袁凯..氮化硅的反应离子刻蚀研究[J].电子器件,2009,32(5):864-866,870,4.
