HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制OA北大核心CSCDCSTPCD
CONTROL OF SURFACE DEFECTS IN HgCdTe FILM GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY
研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜.
Liquid phase epitaxy is a developed technique for the growth of HgCdTe films.Two kinds of macro defects on the surface of HgCdTe film were studied.It was demonstrated that the origin of the void defects was related to the wax contamination on CdZnTe substrate, while the defects of hill-like were due to the CdZnTe particles detached from the edge of the CdZnTe substrate.Through the fine controlling during the substrate preparation, these two kinds of de…查看全部>>
魏彦锋;徐庆庆;陈晓静;张传杰;孙士文;方维政;杨建荣
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
数理科学
碲镉汞液相外延表面缺陷
HgCdTeliquid phase epitaxysurface defects
《红外与毫米波学报》 2009 (4)
采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究
246-248,3
国家自然科学基金(60876012,60606026)资助项目
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