碲镉汞富碲垂直液相外延技术

杨建荣陈新强张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰

红外与毫米波学报2009，Vol.28Issue(5)：325-329,5.

Te-RICH DIPPING TECHNIQUE OF HgCdTe LIQUID PHASE EPITAXY

杨建荣 ¹陈新强 ¹张传杰 ¹方维政 ¹魏彦锋 ¹刘从峰 ¹孙士文 ¹陈晓静 ¹徐庆庆 ¹顾仁杰¹

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半导体技术/碲镉汞外延材料/液相外延/垂直浸渍外延

数理科学

杨建荣,陈新强,张传杰,方维政,魏彦锋,刘从峰,孙士文,陈晓静,徐庆庆,顾仁杰..碲镉汞富碲垂直液相外延技术[J].红外与毫米波学报,2009,28(5):325-329,5.

国家自然科学基金创新群体资助项目(60221502) （60221502）

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ISSN：1001-9014

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