红外技术2009，Vol.31Issue(9)：497-503,7.
碲镉汞pn结制备技术的研究进展
Developments of HgCdTe pn Junction Fabrication Technologies
王忆锋 1唐利斌1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
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摘要
关键词
碲镉汞/pn结/光电二极管/焦平面阵列器件/红外探测器分类
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王忆锋,唐利斌..碲镉汞pn结制备技术的研究进展[J].红外技术,2009,31(9):497-503,7.
