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微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

蔡厚智 刘进元 牛丽红 廖华 周军兰

强激光与粒子束2009,Vol.21Issue(10):1542-1546,5.
强激光与粒子束2009,Vol.21Issue(10):1542-1546,5.

微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟

Theoretical simulation of electron transit time and gain characteristics in microchannel plate

蔡厚智 1刘进元 1牛丽红 1廖华 1周军兰1

作者信息

  • 1. 光电子器件与系统(教育部、广东省)重点实验室,深圳大学,深圳,518060
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摘要

关键词

微通道板/渡越时间/入射时刻/曝光时间/分幅相机/惯性约束聚变

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡厚智,刘进元,牛丽红,廖华,周军兰..微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟[J].强激光与粒子束,2009,21(10):1542-1546,5.

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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